اضافه کردن به علاقه‌مندی‌ها

محل انتشار

کنفرانس فیزیک ایران 1386

اطلاعات انتشار

سال

صفحات

۴ صفحه

کلمات کلیدی

روی، مدل، بررسی، داده، سیلیکون

در این مقاله اثر خازن حاشیه ای فلزی و پلی سیلیکون بر روی خازن موثر گیت در افزاره های نانومتری SOI بررسی شده است . با استفاده از یک مدل تحلیلی نشان داده می شود که اثر خازن حاشیه ای گیت های پلی بر روی خازن موثر گیت بیش از تاثیر خازن حاشیه ای گیت های فلزی می باشد و با مقیاس شدن افزاره های نانومتری این تاثیر بیشتر می گردد . برای مدل کردن خازن حاشیه ای گیت های فلزی و پلی سیلیکون از شیوه نگاشت همدیس استفاده شده است .

راهنمای دریافت مقاله‌ی «بررسی و مقایسه خازن حاشیه ای گیت های فلزی و پلی سیلیکون در افزاره های نانومتری SOI» در حال تکمیل می‌باشد.

دریافت فایل PDF

۴۴۰۰ تومان

دریافت فایل Word + PDF

۵۶۰۰ تومان