اضافه کردن به علاقه‌مندی‌ها

محل انتشار

شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

اطلاعات انتشار

سال

صفحات

۴ صفحه

کلمات کلیدی

اندازه گیری C، V، InSB، PECVD، تصاویر AFM، SEM .

رشد لایه نازک SiO2 با استفاده از تکنیک رسوب شیمیایی از پلاسمای گاز (PECVD) در دما و فشار پایین به گونه ای که بتوان از آن در ساخت آشکار سازهای فتودیودی آرایه ای ایندیوم آنتیموناید (InSb) استفاده کرد،مورد تاکید ما در این مقاله است. برای این منظور لایه SiO2 رشد داده شده باید متراکم بوده ودارای کمینه بارهای آزاد داخل اکسید و مرز مشترک اکسید نیمه هادی باشد. با استفاده از تنظیم نسبتهای گاز، توان و فشار و به کمک ازمایشاتی SEM,AFM و اندازه گیری نرخ خوردگی و تغییرات ظرفیت خازنی – ولتاژ، کیفیت الکتریکی اکسید را بهینه نماییم.

راهنمای دریافت مقاله‌ی «رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز» در حال تکمیل می‌باشد.

دریافت فایل PDF

۴۴۰۰ تومان

دریافت فایل Word + PDF

۵۶۰۰ تومان