توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱ضرب کننده آنالوگ چهارربعی با منبع ولتاژ پایین و توان مصرفی پایین
اطلاعات انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۵
دراین مقاله طراحی یک ضرب کننده چهار ربعی مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای CMOS که در ناحیه اشباع کار می کنند ارائه می گردد این ضرب کننده می تواند از هر دو حالت یک منبع تغذیه یا دو منبع تغذیه استفاده کند بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده ازنرم افزار HSPICE در تکنولوژی 0.35m m شبیه سازی شده است همچنین مدار پیشنهاد شده می تواند به عنوان دو برابر کننده فرکانس مورد استفاده قرار بگیرد مدار دارای پهنای باند یک گیگاهرتز می باشد.

۲ضرب کننده آنالوگ با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه بسیار پایین به عنوان میکسر سیگنال
اطلاعات انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
دراین مقاله نوع جدیدی از یک ضرب کننده آنالوگ مورد تجزیه و تحلیل قرارگرفته است که مناسب برای استفاده برای کاربری ها با ولتاژ تغذیه پایین می باشند همچنین توان مصرفی در آن به شدت کاهش یافته است مدل مورد بحث با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است که نتایج مربوط به آن نیز به منظور اثبات عملکرد ضرب کننده موجود می باشد برطبق نتایج شبیه سازی که در ولتاژ تغذیه حدود نیم ولت و با ورودی ها با رنجی معادل 20mV انجام شده است همچنین میزان توان مصرفی به کمتر از 600nW رسیده است لذا انتظار می رود با این مدار و این مشخصات طراحی شده بتواند برای کاربری های پردازش گر سیگنالهای آنالوگ مفید باشد.

۳طراحی مدار ضرب کننده آنالوگ با پاسخ فرکانسی بهبود یافته و منبع ولتاژ پایین
اطلاعات انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۵
[توضیح سیویلیکا: به دلیل نقص در نمایش فرمولها و تصاویر، اصل مقاله از پایگاه سیویلیکا حذف شد.]
در این مقاله طراحی یک ضرب کننده چهار ربعی ولتاژ مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای CMOS که در ناحیه اشباع کار می کنند ارائه می گردد. این ضرب کننده با استفاده از روش سلول گیلبرت عمل ضرف کنندگی را انجام می دهد و با استفاده از یک روش خاص قابلیت ضرب ک نندگی در فرکانس های حدود یک صد گیگاهرتز را دارد. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی 0.18µm شبیه سازی شده است. همچنین مدار پیشنهاد شده می تواند به عنوان دو برابر کننده فرکانس مورد استفاده قرار بگیرد. بر طبق نتایج شبیه سازی که در ولتاژ تغذیه 0.5 ولت انجام شده است ورودی ها با رنجی معادل 5mv می باشند. همچنین میزان توان مصرفی به کمتر از 580µW رسیده است. مدار دارای پاسخ فرکانسی 230 گیگاهرتز می باشد.

۴ضرب کننده آنالوگ با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه بسیارپایین به عنوان دوبرابر کننده فرکانس
اطلاعات انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
در این مقاله نوع جدیدی از یک ضرب کننده آنالوگ مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است که مناسب برای استفاده برای کاربری ها با ولتاژ تغذیه پائین می باشند .همچنین توان مصرفی در آن به شدت کاهش یافته است. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از نرم افزار HSPICEدر تکنولوژی0.35 شبیهسازی شده است. این ضرب کننده به دلیل وجود دو ترانزیستور از منبع تغذیه تا زمین با ولتاژ تغذیه کم1vکار می کند و دارای توان مصرفی 45nwمی باشد و اعوجاج هارمونیکی مدار برابر % 0.8 مشاهده شده است. این مدار دارای پاسخ فرکانس 56 مگا هرتز می باشد. از عملکرد های جالب این ضرب کننده استفاده به عنوان دو برابر کننده فرکانس می باشد. لذا انتظار می رود با این مدار و این مشخصات طراحی شده , بتواند برای کاربری های پردازش گر سیگنالهای آنالوگ مفید باشد

۵طراحی یک فلیپ فلاپ جدید با دولبه تحریک با جریان نشتی کم برای کاربردهای توان پایین
اطلاعات انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
یک فلیپ فلاپ با جریان نشتی کم و توان پایین با دو لبه تحریک در این مقاله ارائه گردیده است . فلیپ فلاپ های توان پایین و پرسرعت در بسیاری ازکاربردها و مصارف مورد نیاز هستند. در فلیپ فلاپ های تحریک شونده با دو لبه پالس، تغییرات اطلاعات می توانند در هر دو لبه پالس ساعت انجام گیرد. بااستفاده از فلیپ فلاپ های تحریک شونده با دو لبه پالس ساعت، امکان کاهش فرکانس کار مدار و در نتیجه باعث کم شدن توان مصرفی می شود . با کوچک شدن ابعاد و کم شدن ولتاژ کار و ولتاژ آستانه ترانزیستورها در تکنولوژیCMOS مشکل نشتی جریان داریم که برای رفع این مشکل، این فلیپ فلاپ پیشنهاد گردیده است .در این تحقیق با مرور روش های کنترل جریان نشتی به منظور کاهش این مهم مناسب ترین روش پیشنهاد شده است. مدار در تکنولوژیμm0.35با نرم افزارHSPICE شبیه سازی شده است . جریان نشتی اندازه گیری شدهμa2.3و توان مصرفی مدارμw105 می باشد. فلیپ فلاپ پیشنهادیدارای تاخیری برابرns0.43 است و با منبع تغذیه 1.2 ولت کار می کند

۶نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز
اطلاعات انتشار: اولین همایش ملی علوم و فناوری نانو، سال
تعداد صفحات: ۵
این مقاله یک یکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان خروجی دوگانه با استفاده از تکنولوژی ساختcmos 180 نانومتر ارائه می دهد که باولتاژ پایین 1± کار می کند. در مدارات آشکارساز نیاز به توان مصرفی پایین و ایعاد تراشه کوچک مورد نیاز می باشد. استفاده از تکنولوژی نانو ما رابه این امر مهم می رساند. همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع کار می کنند. این مدار سیگنال سینوسی ورودی را دریافت می کند و سیگنال نیم موج خروجی را در فرکانس بالا و مد جریان یکسو می کند. ساختار اصلی این مدار متشکل از مدار معکوسکنندهcmos دو منبع جریان آیینهای میباشد. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارHSPICEمورد تائید است. مدار پیشنهادی دارای پهنای باند50MHZمی باشد جریان ورودی درحدود100μAتوان مصرفی 21 پیکووات محاسبه شده است.
نمایش نتایج ۱ تا ۶ از میان ۶ نتیجه