توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN\GaN
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله یک مدل تحلیلی برای فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN\GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر طول گیت را بر فرکانس قطع و مینیمم نویز بدست آوریم . در این مدل زیر باندهای کوانتمی پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل معادله شرودینگر و پواسون و وارد کردن اثر حالتهای تله های الکترونی ، جریان در سد AlGaN ، جریان کل گیت و دمای کانال چاه کوانتمی دو بعدی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار HEMT دارد

۲بررسی اکسایتونها در چاههای کوانتومی دوگانه AlxGa1–xN\GaN
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله به بررسی اکسایتونهای مستقیم و غیر مستقیم در ساختار چاه کوانتومی دوگانه AlxGa1–xN\GaN پرداخته شده است . انرژی بستگی اکسایتونی(Binding Energy) با تغییر پارامترهای موثر در ساختار مانند عرض سد پتانسیل و درصد آلمینیوم نمونه ( عمق چاه ) محاسبه شده است . همچنین اثر میدان الکتریکی روی انرژی بستگی اکسایتونهای این ساختار مطالعه شده است و نتایج محاسبات نشان می دهد با افزایش میدان انرژی بستگی کاهش می یابد که بیانگر تبدیل اکسایتونهای مستقیم به غیر مستیم است .

۳بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N \ GaN
اطلاعات انتشار: سال
تعداد صفحات: ۴
در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN\GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی وبه درین می شوند . وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند . در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN ونیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است . جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد

۴تحلیل نظری کنترل حالتهای زیرباندی گاز الکترون دو بعدی با ضخامت لایه سرپوش در ساختارهای نامتجانس AlxGa1–xN\GaN
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله ساختارزیرباندی وگذار بین زیر باندها به عنوان تابعی از ضخامت لایه سرپوش , با حل خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگردرساختارهای Al x Ga 1− x N \ GaN بررسی می شوند . کسر نسبی آلومینیوم در این بررسی یک , وضخامت لایه سدی 40 آنگستروم در نظر گرفته شده است . نتایج محاسبات نشان می دهد که تفاوت انرژی بین اولین و دومین زیر تراز که متناظر با طول موجهای مادون قرمز دور و متوسط می باشد . با تغییر ضخامت لایه سرپوش تغییر می کند . هرچه ضخامت لایه سرپوش افزایش یابد , فاصله انرژی بین دو زیر باند اول و دوم کاهش یافته وهمپوشانی توابع موج الکترون در این دو تراز افزایش می یابد و بنابراین گذار بین این دو زیر تراز بیشتر شده و ضریب جذب بزرگتر می شود . برای ساختارهای با کسر نسبی بالا ( مثلا یک ) وضخامت زیاد لایه سد ( مثلا 40 آنگستروم ) انتگرال همپوشانی بین دو تراز و قدرت نوسان کنندگی مستقل از ولتاژ اعمالی دریچه است . بنابراین در این بررسی ولتاژ دریچه صفر در نظر گرفته شده و فقط اثر تغییرات ضخامت لایه سر پوش بررسی می شود .

۵محاسبه مقاومت گرمایی ابزارهای AlGaN–GaN
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385، سال
تعداد صفحات: ۴
اعتبار و توانایی ابزارهای گالیم نیترید اساساً به عملکرد گرمای کانال بستگی دارد . کارآیی یک ابزار اساساً بوسیله خودگرمایی تحت تاثیر قـرار می گیرد . عموماً رفتار گرمایی به وسیله معادله لاپلاس سه بعدی تعیین می شود . فقط تعداد کمی می توانند بطور تحلیلی حل شوند . بنابراین اغلـب راه حل ها و شبیه سازی های دقیق عددی دنبال می شود . بررسی های ما درباره محاسبه مقاومـت گرمـایی،تو افق بـسیار خـوبی را بـین مـدل مـا و شبیه سازیهای عددی به ازای متغیر های مختلف اعم از پارامتر های گیت و ضخامت بستر نشان داده است

۶بررسی قدرت نوسان کنندگی در یک چاه کوانتومی Al0.3Ga0.7As\GaAs تحت تاثیر میدان الکتریکی
اطلاعات انتشار: سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله اثر میدان الکتریکی روی انر ژی حالتهای مختلف و توابع موج مربوطه، برای یک آشکارساز مادون قرمز چاه کوانتومی با ساختارAl0.3Ga0.7As\GaAs ، بر اساس روش ماتریس انتقال مطالعه شده است . از توابع airy و نمایی برای حل معادله شرودینگر وتعیین توابع موج حالت پایه و بر انگیخته پیوستار استفاده شده است . با استفاده از این نتایج می توان پارامترهای اپتیکی از جمله قدرت نوسان کنندگی بین ترازهای انرژی را در حضور میدان الکتریکی محاسبه کرد .

۷محاسبه تئوری پاسخ دهی طیفی در سلول های خورشیدی چاه کوانتومی Al0.3Ga0.7As\GaAs
اطلاعات انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال، سال
تعداد صفحات: ۴
مطالعاتی که امروزه روی سلول های خورشیدی انجام گرفته، نشان داده است که استفاده از ساختارهای چاه کوانتومی در ناحیه ذاتی سلول های خورشیدی i–n ، بر مبنای GaAs\AlxGa1–xAs باعث افزایش پاسخ دهی طیفی و در نتیجه جریان نوری نسبت به سلول های خورشیدی تک گافی می شود که از ماده سد ساخته شده باشد . در این مقاله با استفاده از محاسبه ضریب جذب برای چاه های کوانتومی، پاسخ دهی طیفی به صورت تئوری مدل بندی شده و این کمیت برای ، با وجود ساختارهای چاه کوانتومی و بدون وجود آن ها محاسبه و تاثیر تعداد چاه ها روی پاسخ دهی طیفی مطالعه شده است . نتایج p–i–n سلول خورشیدی بدست آمده نشان می دهد که استفاده از ساختارهای چاه کوانتومی در سلول های خورشیدی، پاسخ دهی طیفی را در طول موجهای بلندتر افزایش داده و همچنین افزایش تعداد چاه های کوانتومی، پاسخ دهی طیفی را افزایش می دهد .

۸بررسی اثر تقارن هندسی بر ساختار الکترونی نقطه کوانتمی با روش تابعی چگالی
اطلاعات انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال، سال
تعداد صفحات: ۴
نقاط کوانتمی ساختارهایی در ابعاد نانومتر هستند. و از آنجایی که برخی خواص اتمی از خود نشان می دهند به اتم های مصنوعی معروفند. ساختار پوسته ای و ترازهای انرژی آنها عموما یادآور سیستم های اتمی واقعی است. حل دقیق ساختار الکترونیکی این سیستم ها حتی در حالت نقاط با تعداد محدود و کم، بسیار سخت و غیر ممکن بوده و استفاده از تقریبات اجتناب ناپذیر است. ما با استفاده از نظریه تابعی چگالی خواص حالت پایه نقطه کوانتمی بدون حضور میدان را مورد مطالعه قرار دادیم. سیستم های مورد بررسی در این کار نقاط کوانتمی ای با اشکال مثلثی و شش ضلعی هیتند و تلاش برای پاسخ به این سوال بوده که چگونه تغییر شکل و کم کردن تقارن ها در نقاط کوانتمی بر ساختار الکترونیکی آنها تاثیر خواهد گذاشت.

۹بررسی اثر تغییرات شعاع و ارتفاع بر روی انرژی بستگی اکسایتون در نقطه کوانتومی استوانه ای شکل GaN\AlxGa1–xN
اطلاعات انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله انرژی حالت پایه اکسایتون در مدل پتانسیل متناهی برای نقطه کوانتومی استوانه ای شکل GaN که توسط AlxGa1–xN احاطه شده، با استفاده از روش وردشی محاسبه شده است. سپس انرژی بستگی اکسایتون بر حسب تغییرات و ارتفاع نقطه کوانتومی بدست آورده شده است. نتایج نشان می دهند که با کاهش و ارتفاع کوانتومی انرژی بستی اکسایتون افزایش می یابد.

۱۰بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN\GaN HEMT
اطلاعات انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال، سال
تعداد صفحات: ۴
یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند در این مقاله gm و فرکانس قطع برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری بالا) به منظور بررسی عملکرد میکروویو قطعه ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد قطعه همت به پارامترهای فیزیکی از جمله اندازه گیت و حضور سر پوش شاتکی مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.

۱۱بررسی اثرات دما و تعداد نقاط کوانتومی در ظرفیت کوانتومی نانو ساختارهای نیتریدی
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله، مدلی برای محاسبه ظرفیت کوانتومی در ساختار نیتریدی متشکل از ابر شبکه GaN\AlN و لایه نقاط کوانتومی InN ارائه شده، که وجود نقاط کوانتومی خود را به صورت یک پیک در نمودارهای ولتاژ– ظرفیت نشان میدهد. همچنین اثرات دما و تعداد نقاط کوانتومی بر روی ظرفیت الکتریکی بررسی شد. نتایج نشان می دهد افزایش دما سبب کاهش ظرفیت و افزایش تعداد نقاط کوانتومی سبب افزایش ظرفیت در این ساختارها در یک بازه ولتاژ می گردد.

۱۲تحلیل عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN\GaN HEMT با مدل جدید تقریب تدریجی کانال
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانس AlGaN\GaN ارائه کردیده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به صورت تدریجی تغییر می کند. با درنظر گرفتن این مدل، اثرات فاصله های بین درین– گیت (LGD) و بین گیت– سورس (LGS) بر روی مشخصه های ترابردی ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN\GaN HEMT بررسی شده است. نتایج بدست آمده از محاسبات نشان دهنده کارکرد خوب ترانزیستورها برای LGD بزرگ و LGS کوچک می باشد.

۱۳ساختار الگترونیکی نقاط کوانتومی خود سازمان InAs\GaAs با شکل ها و اندازه های مختلف
اطلاعات انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله برای مطالعه وابستگی توابع موج و حالت های الکترونیکی نقاط کوانتومی InAs\GaAs به تغییرات اندازه و شکل نقاط کوانتومی، یک مدل سه بعدی فرمولبندی می شود. شکل های QD مورد بررسی مکعب، استوانه ای و هرمی می باشد و مدل ارائه شده برای بررسی ساختار الکترونیکی بر پایه تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج محاسبات نشان دهنده تاثیرات زیاد شکل و اندازه QDs بر ساختار الکترونی آن ها می باشد.

۱۴بررسی اثر پتانسیل محیط بر روی انرزی بستگی اکسایتون در نقاط کوانتومی استوانه ای شکل GaN\AlxGa1–xN
اطلاعات انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۴
دراین مقاله انرژی حالت پایه اکسایتون درالگوی پتانسیل متناهی برای نقاط کوانتومی استوانه ای شکل GaN که درمحیط( فرمول درمتن اصلی مقاله) محبوس شده اند با استفاده ازروش وردشی محاسبه شده است سپس انرژی بستگی اکسایتون به ازای پتانسیلهای محیط متفاوت که وابسته به ضریب مولارآلیاژ آلومینیوم ( x ) محیط است بدست آورده شده است نتایج بدست آمده نشان می دهند که برای ارتفاع مشخص ازاستوانه نقطه کوانتومی با افزایش ( x ) انرژی بستگی اکسایتون افزایش می یابد .

۱۵محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs\GaAs
اطلاعات انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۵
در این مقاله طیف انرژی و ضریب جذب نوری الکترونها ی محدود شده در نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs\GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی برپایهی تقریب جرم موثروبه روش بسط موج تخت است نتایج بدست آمده نشان میدهد که ساختار الکترونیکی، قدرت نوسان کنندگی و ضریب جذب نوری انتقا لات بین ترازی به پارامترهای سامانه ی وابسته بوده و با افزایش حجم قدرت نوسان کنندگی افزایش و ضریب جذب کاهش مییابد

۱۶بررسی اسکایتون های غیر مستقیم در تله های الکترواستاتیکی نانو ساختار های GaN
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو، سال
تعداد صفحات: ۴
ابتدا با محاسبات عددی مقادیر انرژی بستگی اکسایتون ها در ساختارهای کوانتومی مختلف را محاسبه کرده و اثرات پارامترهای مختلف ساختاری را روی انرژی بستگی بررسی کرده ایم. سپس اثرات تله های الکترواستاتیکی را در نظر گرفته و طول عمر تله ها و اندرکنش با اکسایتون ها را برای پارامترهای فیزیکی مختلف محاسبه کرده ایم، این محاسبات نشان می دهد که با توجه به موقعیت چاه کوانتومی در ساختار، طول عمر تله های الکترواستاتیکی با افزایش عرض چاه ها کاهش می یابد.

۱۷مطالعه اثر نرخهای ناجورشدگی فازی و زوال جمعیت بر گذردهی غیرخطی مرتبه سوم در یک نقطه کوانتومی دیسک گونه نیترید گالیم
اطلاعات انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله ضمن بررسی حالتهای اکسیتونی و دو اکسیتونی با استفاده از روش تغییرات در یک نقطه کوانتومی (GaN) گذارهای ممانهای دو قطبی در سیستم سه ترازی متشکل از حالت پایه و حالتهای اکسیتونی و دو اکسیتونی محاسبه شده است. گذردهی غیرخطی مرتبه سوم (X 3) با استفاده از صورت بندی ماتریس چگالی و نظریه اختلال مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان میدهد که فقط اندازه نرخ زوال انتخابی اثرچشمگیری بر جمله دوم X 3 دارد. همینطور ملاحظه شد که با افزایش شعاع دیسک، اندازه X3 افزایش یافته و دچار جابجایی قرمز می شود.

۱۸مقایسه ی تأثیر برازش خطی و مرتبه ی دوم بهره در ساختارهای عرضی میدان در میکرومشدد نیم رسانا
اطلاعات انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۴
دراین مقاله برای لیزر نیم رسانای نشر کننده از سطح، بدون حذف بی درروی پلاریزاسیون و با استفاده از برازش مرتبه دوم منحنی بهره پارامتر ¦ مشخص شد در نتیجه معادله ی دینامیکی پلاریزاسیون اصلاح شد و به معادلات ماکسول – بلاخ اضافه گردید در ادامه با انتگرال گیری از این معادلات دینامیکی شبیه سازی های عددی انجام شدند. نتایج نشانگر شکل گیری الگوهای نوری خودبخودی و همچنین شاخه ی سولیتونی برای دمش بالای آستانه لیزرزائی است. این الگوهای نوری به دست آمده از برازش مرتبه دوم منحنی بهره نسبت به مشابه آن با استفاده از برازش خطی، ارائه دهنده ی افزایش در شدت با انرژی تزریق کمتری می باشند.

۱۹آهنگ واهلش انرژی الکترونهای داغ توسط فونوهای آکوستیکی در چاههای کوانتومی
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله آهنگ واهلش انرژی در دماهای متوسط الکترونی بواسطه اندرکنش های غیر الاستیک با فونون های آکوستیکی (پتانسل تغییر شکل و پیزوالکتریک) در چاه های کوانتومی AlGaN\GaN بررسی شده است. برای اطمینان از درستی مدل ابتدا نتایج بدست آمده برای چاه کوانتومی AlGaAs \GaAs با داده های تجربی موجود مقایسه گردید. همچنین وابستگی آهنگ واهلش انرژی به پهنا و چگالی گاز الکترونی دوبعدی در فصل مشترک نیز مورد بررسی قرار گرفته است. در این بررسی نتایج بدست آمده حاصل از محاسبات عددی بدون تقریب های معمول در مورد پایستگی ممنتم در فصل مشترک چاه کوانتمی می باشد. نتایج نشان می دهد که آهنگ واهلش با افزایش دمای الکترونی تا رسیدن به یک حالت اشباع افزایش می یابد در مقابل با افزایش پهنای چاه کاهش می یابد . در مقایسه با GaAs پراکندگی پیزواالکتریک به خصوص در دماهای پایین تر سهم بیشتری به خود اختصاص میدهد.

۲۰بررسی تاثیر چگالی ناخالصی در مدولاتور های الکتروجذبی در ساختارهای چاه کوانتومی AlN–GaN–AlGaN–AlN برای کار در طول موج مخابرات نوری
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله اثر افزودن ناخالصی در مدولاتورهای الکتروجذبی سرعت بالا بر پایه اثر جابجایی اشتارک تشدید زیر باندی در ساختارهای پله ای GaN–AlGaN –AlN برای دستیابی به طول موج λ= 1.55µm مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبات نشان می دهدکه با افزودن ناخالصی، زیر ترازهای انرژی داخل چاه کوانتومی تغییر وبنابراین میدان الکتریکی لازم برای دستیابی به طول موج مد نظر نیزکاھش می یابد.

۲۱بررسی تغییرات ترازهای انرژی حفره نقاط کوانتومی کروی GaN با ساختار زینک بلند در حضورمیدان الکتریکی
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387، سال
تعداد صفحات: ۴
قاط کوانتومی نیمرسانا، یک نانوساختار می باشد که در آن حرکت الکترون در هر سه بعد محدود شده است، نقاط کوانتومی نیتریدی در مقایسه با نقاط کوانتومی گروه III –VI و III –V خواص متفاوتی دارندو دارای دو ساختار ورتسایت و زینک بلند هستند. در این مقاله اثر میدان الکتریکی روی نقطه کوانتومی GaN در چارچوب تئوری k.p بررسی شده و وابستگی انرژی حفره در میدان اعمالی برحسب اندازه نقطه کوانتومی و میزان میدان اعمالی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده، نشان میدهد که ترازهای انرژی حفره GaN شدیداً تحت تاثیر میدان قرار میگیرد و انرژی پایین ترین حالات نقاط کوانتومی نیتریدی با افزایش میدان کاهش می یابد.

۲۲ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1–xN\GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387، سال
تعداد صفحات: ۴
جی ام gm در این مقاله، یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند و فرکانس قطع میکروویو برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری الکترونی بالا)و ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد آنها به پارامترهای فیزیکی مختلفت MISHFET AlGaN\GaN مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.

۲۳مطالعه برخی خواص غیرخطی نوری برای نقال کوانتومی هرمی شکل InAs\GaAs
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی نانو مواد و نانو تکنولوژی، سال
تعداد صفحات: ۶
دراین مقاله یک مدل سه بعدی برای بررسی حالتهای الکترونیکی محدود شده درساختار نقطه کوانتومی هرمی و همچنین انتقالات داخل باندی الکترونها در باند هدایت نقطه کوانتومی به منظور مطالعه برروی پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم ارائه شده است مطالعات نشان می دهندکه با افزایش حجم نقطه کوانتومی، ترازهای انرژی کاهش یافته و Im(X3),Re(X3) تحت شرایط تشدید با افزایش حجم نقطه کوانتومی افزایش خواهندیافت و موقعیتهای تشدید به سمت ناحیه با انرژی پایینتر جابجا می شوند.

۲۴محاسبه پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم نقطه کوانتومی به شکل هرم ناقص InAs\GaAs با اندازه های مختلف
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم در نقط هی کوانتومی هرم ناقص InAs\GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی بر پایه ی تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج بدست آمده نشان میدهد که با افزایش حجم نقطه کوانتومی ، پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم افزایش یافته و قله مربوطه به سمت انرژی های پایین تر جابجا میشود.

۲۵بررسی جریان تاریک در آشکارسازهای نوری مادون قرمز نقطه کوانتومیAlGaN\GaN
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388، سال
تعداد صفحات: ۴
در این مقاله، ابتدا نقاط کوانتومی مکعب مستطیلی AlGaN\GaN مدل سازی و با حل معادله شرودینگر ترازهای انرژی ، توابع موج و سایر پارامترهای فیزیکی آن بدست آمده و سپس جریان تاریک که یک جریان ناخواسته بوده و دلیل عمده وجود نوفه در سیستمهای آشکارسازی است، با در نظر گرفتن وابستگی آن به دما و میدان اعمالی و داخلی در سیستم، به طور دقیق مورد مطالعه قرار گرفته است. در ادامه با در نظر گرفتن رابطه میان جریان تاریکی و احتمال گیراندازی رفتار این پارامترها مورد بررسی قرار گرفته و نهایتا نتیجه گیری شده است که ساختارهای با چگالی بیشتر از نقاط کوانتومی در واحد حجم، دارای جریان تاریک، و لذا نوفه کمتری بوده و آشکارسازهای ساخته شده بر این اساس عملکرد بهینه ای خواهند داشت.
نمایش نتایج ۱ تا ۲۵ از میان ۳۷ نتیجه