توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱معرفی و شبیه سازی یک نانوترانزیستور نوین عمودی تونلزنی بر روی زیرلایة SOI با عکس شیب ناحیه زیر آستانه بهبود یافته
اطلاعات انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386، سال
تعداد صفحات: ۴
ساختار جدیدی از ترانزیستورهای تونل زنی عمودی بر روی زیرلایه SOI معرفی گردیده است که عکس شیب ولتاژ – جریان ناحیه زیر آستانه ( عامل ) S آن کمتر از مقدار ایده آل آن در ترانزیستورهای ماسفت معمولی است . چنین ساختاری قبلاً بر روی زیرلایه های سیلیکانی ساخته و مدل سازی گردیده است که در آن متوسط عکس شیب ناحیه زیر آستانه بالاتر از 60 میلی ولت بر دهه در دمای اتاق است . در این مقاله ، ما سعی کردهایم با شبیهسازی این افزاره بر روی زیرلایهی SOI ( سیلیکان بر روی عایق ) ، مقدار گزارش شدةS را به یک سوم آن کاهش دهیم . این ساختار جریان را از طریق کنترل تونل زنی الکترون از باند ظرفیت به باند هدایت ناحیة سیلیکون ذاتی کنترل میکند . با جایگزینی زیرلایة عادی با زیرلایة SOI ، خروج الکترونهای تشکیل دهندة جریان تونلزنی از ناحیة تخلیة بین سورس و سیلیکان ذاتی، آسانتر صورت میگیرد و رفتار منحنی لگاریتمی جریان بر حسب ولتاژ و در نتیجه عامل s بهبود مییابد

۲مدل مداری جدید در تکنولوژی CMOS استاندارد برای بررسی و تحلیل گذرای حافظه های فلش
اطلاعات انتشار: سیزدهمین کنفرانس سالانه انجمن کامپیوتر ایران، سال
تعداد صفحات: ۸
در این مقاله روش طراحی و تحلیل مداری سلول های حافظه فلش در تکنولوژی m0\18 تک پلی سیلکین ارائه می گردد. مدل ارائه و حالت گذرا را بدون نیاز به صرف زمان طولانی شبیه سازی ارائه می دهد. برای محاسبه dc شده تطابق قابل توجهی از نظر نقطه کار ولتاژ گیت شناور، روش آ یینه ج ریان ایده آل به همراه روش ولتاژ گیت کنتر لی ارائه می گردند. به این ترتیب امکان شبیه سازی یک سلول حافظه فلش در یک ش بیه ساز مدا ری مثلSPICE فراهم می گردد. در این روش بر ای اعمال حالت ه ای نوشتن\پاک کردن رابطه تونل ز نیFowler–Nordheim مورد استفاده قرار می گیرد. همچنین استفاده از یک منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ در این مدل باعث افز ایش دقت شده و ارائة روش ج دید نوشتن \ پاک کردن حافظه، عدم ورود تران زیستورها به ناحیه تریود را در حین این فرایندها تضمین میکند.

۳مدل سازی خازن حاشیه ای داخلی و خارجی گیت های فلزی و پلی سیلیکون در افزاره های نانومتری SOI و روند تغییرات آنها با ضریب دی الکتریک
اطلاعات انتشار: شانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۷
در این مقاله اثر خازن حاشیه ای خارجی و داخلی گیت فلزی و پلی سیلیکون بر روی خازن موثر گیت در افزاره های نانومتری SOI بررسی شده است. با استفاده از یک مدل تحلیل نشان داده می شود که اثر خازن حاشیه ای گیت های پلی بر روی خازن موثر گیت بیش از تاثیر خازن حاشیه ای گیت های فلزی می باشد. در ضمن با بررسی خازن حاشیه ای داخلی و خارجی پلی سیلیکون روند تغییرات آن با تغییر ضریب دی الکتریک بررسی شده است. ما نشان داده ایم که خازن حاشیه ای کل به ازاء مقدار ضریب دب الکتریک مناسب مینیمم می گردد.

۴پیادهسازی وتوسعه روش تایمر زمان بند برای ساخت شبه سیستم عامل زمان واقعی با نیاز بسیار محدود سخت افزاری
اطلاعات انتشار: سیزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
دراین مقاله گزیده ای از کارهای انجام شده برای پیادهسازی یک شبه سیستم عامل بسیار کم حجم برای انجام اعمال کنترلی که نیاز به یک زمان بندی دقیق دارند نشان داده شده است در اکثر میکروکنترولرهای 8 بیتی امروز ی به دلیل کم بود حافظه های موجود وهمچنین قدرت پردازشی نمی توان از سیتم عاملهای کارآمدو موجود مانند لینوکس و ... استفاده کرد با این حال اکثر کارهای کنترلی نیاز به یک زمان بندی دقیق دارند که جزء لاینفک از سیتم به شمار می آیند.

۵تکنیک جدید در طراحی مدارات توان پایین– سرعت بالا در تکنولوژی SOI
اطلاعات انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
یکی از مهمترین نگرانی ها در طراحی مدارات VLSIمسئله مصرف توان می باشد. در طراحی مدارات توان پایین– سرعت بالا، تکنولوژیSOI به عنوان تکنولوژی برتر ظاهر می شود که با کمک این تکنولوژی، می توان به ترانزیستورهایDTMOS دست یافت. این ترانزیستورها دارای سرعت بالاتری نسبت به تکنولوژی CMOS مشابه بوده ولی دارای توان مصرفی بالاتری هستند. در این مقاله تکنیک جدیدی ارائه می شود که علاوه بر افزایش سرعت نسبت به DTMOS کاهش توان را نیز در برداشته و در نتیجه Power*Delay به طور چشم گیری نسبت به DTMOS کاهش می یابد.

۶معرفی ومقایسه سخت افزارهای مختلف در پیاده سازی تبدیل موجک گسسته برای فشرده سازی تصویر
اطلاعات انتشار: دومین کنفرانس ماشین بینایی و پردازش تصویر، سال
تعداد صفحات: ۸
کاربرد تبدیل موجک در پردازش تصویر مانند استاندارد 4JPEG–2000,MPEG روز به روز گسترده تر می شو د . در این مقاله ابتدا الگوریتم های مهم در تبدیل موجک معرفی می شو ند و سپس سخت افزار های تبدیل موجک دو بعدی معرفی ومقایسه می شوند در ده سال اخیر پژوهشهای زیادی در تکنیکهای تبدیل موجک و بکارگیری آن در انجام تبدیل موجک دو بعدی برای تصویر صورت گرفته است . تبدیل موجک به خاطر خصوصیتهای جالبش در فشرده سازی تصویر و ویدئو بسیار مورد توجه قرار گرفته است. تبدیل موجک در واقع تجزیه یک سیگنال غیر ایستا به مجموعه ای از ت وابع موجک با مقیاسهای متفاوت است که این مجموعه نسبتا ایستا است وبرای کدشدن مناسب اس ت . با مقایسه تبدیل موجک با بقیه تبدیلها، دیده می شود که تبدیل موجک انعطاف پذیرتر است وبه دلیل تحلیل مقیاس _مکان (به جای فرکانس _زمان) بهتر می تواند با طبیعت بینایی _روانی انسان تطبیق یابد . همچنین چون تبدیل موجک بطور یکجا روی کل تصویر انجام می شوددارای اثر منفی بلوک _ بلوک شدن تصویر نمی باشد

۷کاهش اثر خودگرمایی و مقاومت دیفرانسیل منفی در افزاره ی SOI–LDMOS
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه سازی عددی افزاره یSOI–LDMOS می پردازیم. . طول بهینه ی پنجره سیلیسیمی را بدست آورده وسپس با استفاده از تکنیک ایجاد پنجره سیلیسیمی در اکسید مدفون، نشان خواهیم داد که اثر خودگرمایی به میزان 12\34 درصد کاهش می یابد و نشان می دهیم و این مزیت روش پیشنهادی این است که جریان نشتی و فرکانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی یابد. همچنین در ادامهبه تاثیر استفاده ازSi3N4به جایSio2در لایه مدفون بر روی اثر خودگرمایی خواهیم پرداخت.

۸تقویت کننده توان برای فرستنده بازخوان شناسایی رادیویی با 25dbm توان خروجی،نقطه فشردگی بهره 24 dbm و بهره وری 29%
اطلاعات انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۹
دراین مقاله تقویت کننده توان بهینه سازی شده برای استفاده درفرستنده شناسایی فرکانس رادیویی معرفی می شود این تقویت کننده بدون عناصرخارج ازتراش با خطسانی بالا درتکنولوژی 0\18 میکرون و ولتاژ تغذیه 1\8 ولت طراحی و شبیه سازی شده است برای افزایش خطسانی و بهره وری ازترکیب دوکلاس C,B و برای افزایش بهره وری قبل ازنقطه فشردگی بهره ازمدارهوشمند بایاس استفاده شده که کلاس تقویت کننده C را درنزدیک نقطه فشردگی بهره به کلاسAB تغییر میدهد ترانسفورماتور این تقویت کننده برروی تراشه طراحی شده و قابلیت انتقال 25dBm توان به آنتن را دارد نقطه فشردگی بهره خروجی این تقویت کننده 24dBm و بهره وری نزدیک 29% است
نمایش نتایج ۱ تا ۸ از میان ۸ نتیجه