توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱ضرب کننده آنالوگ با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه بسیار پایین به عنوان میکسر سیگنال
اطلاعات انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
دراین مقاله نوع جدیدی از یک ضرب کننده آنالوگ مورد تجزیه و تحلیل قرارگرفته است که مناسب برای استفاده برای کاربری ها با ولتاژ تغذیه پایین می باشند همچنین توان مصرفی در آن به شدت کاهش یافته است مدل مورد بحث با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است که نتایج مربوط به آن نیز به منظور اثبات عملکرد ضرب کننده موجود می باشد برطبق نتایج شبیه سازی که در ولتاژ تغذیه حدود نیم ولت و با ورودی ها با رنجی معادل 20mV انجام شده است همچنین میزان توان مصرفی به کمتر از 600nW رسیده است لذا انتظار می رود با این مدار و این مشخصات طراحی شده بتواند برای کاربری های پردازش گر سیگنالهای آنالوگ مفید باشد.

۲بررسی مدلهای نانومتریک CMOS و کاربرد آن دریک تقویت کننده زوج تفاضلی با تکنولوژی GATE BULK DRIVEN DRIVEN
اطلاعات انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی، سال
تعداد صفحات: ۱۱
امروزه با رشد فناوری نانو درهمه ابعاد شاهدجهشی بزرگ در عرصه فناوری هستیم دراین راستا شاید بتوان علم الکترونیک را به عنوان پیشرو این صنعت برشمرد می دانیم که ترانزیستور های با ابعاد ریزمیکون و نانوباعث انقلابی درصنعت کامپیوتر شده است یکی از مهمترین اهداف طراحان دست یابی مدارات با توان ورودی پایینتر می باشد دراین زمینه کاهش ابعاد ترانزیستورها و همچنین چندین تکنیک از قبیل راه اندازی از طریق پایه بالک زیراستانه خودکسکود و گیت شناور و ... Floating–gate ; Self–cascodeSub–Threshold ; Bulk–driven برای کاهش ولتاژ تغذیه مورد استفاده قرارمی گیرد فناوری Bulk–driven بطور عمده درطبقه ورودی تقویت کننده دیفرانسیلی و جریان آینه ای مورد استفاده قرارگرفته است دراین مقاله به بررسی طبقه ورودی برای یک تقویت کننده با تکنیک Gate–driven Bulk–driven درمقیاس نانو می پردازیم اولین مرحله از طراحی یک ریزتراشه نیاز به شبیه سازی مدارات طراحی شده داریم مدلهایمختلفی برای برنامه ای کاربردی شبیه سازی ارایه شده است شرکت های سازنده ترانزیستور نیز برای طراحان مدلهای ارایه داده اند استفاده از یک مدل مناسب به طراحاان مدارهای دیجیتال و آنالوگ این امکان را میدهد تا پیش از فرایندساخت درک مناسبی از رفتار مدارطرح شده داشته باشند.

۳بررسی رسانایی نانوروبان گرافنی زیگزاگ با استفاده ازتقریب اتصالات تنگابست
اطلاعات انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۸
همانطور که میدانیم ادوات الکترونیکی به سمت کوچک شدن و افزایش کارایی درحالت حرکت هستند ساختارنانوروبان گرافنی زیک زاگ یک ساختاربسیارکوچک و باخواص بسیاربالا می باشد که دراین گزارش به بررسی میزان رسانایی ساختارهای مختلف آن برای قرارگیری دریک نانوترانزیستوربه عنوان سورس درین یا کانال می پردازیم بنابراین با تغییر درمحل قرارگیری اتم ها درسلول واحد و همچنین تغییر درساختارنانوروبان گرافنی به صورت دولایه با پشته AA دولایه با پشته AB به بررسی گاف انرژی ایجاد شده و میزان رسانایی ساختارهای جدید می پردازیم دراین مقاله با محاسبه میزان رسانایی مطلوب به این نتیجه می رسیم که ازاین ساختارمیتوان به عنوان سورس یا درین یک نانوترانزیستوراستفاده کرد

۴بررسی خواص رسانایی نقص سوپرسل نانوروبان گرافنی زیگزاگ
اطلاعات انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۷
همانطور که میدانیم ادوات الکترونیکی به سمت کوچک شدن و افزایش کارایی درحالت حرکت هستند ساختارنانوروبان گرافنی زیک زاگ یک ساختاربسیارکوچک و باخواص بسیاربالا می باشد که دراین گزارش به بررسی خواص ساختارنقص سوپرسل که درعمل با آن مواجه هستیم برای قرارگیری دریک نانوترانزیستور به عنوان سورس درین یا کانال می پردازیم بنابراین درابتدا به بررسی روشهای تولید نانوروبانهای گرافنی درعمل می پردازیم سپس نقص ایجاد شده درساخت را که با عنوان نقص سوپرسل بیان میشود بررسی کرده و خواص رسانایی آن و گاف انرژی ایجاد شده بررسی می کنیم نقص ایجاد شده درحالت زیگزاگ بررسی میشود دراین مقاله با محاسبه میزان رسانایی مطلوب به این نتیجه می رسیم که ازاین ساختارمیتوان به عنوان سورس یا درین یک نانوترانزیستور استفاده کرد

۵بررسی رسانایی انواع نانو روبان گرافنی ریک زاک با استفاده از تقریب اتصالات تنگ
اطلاعات انتشار: دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق، سال
تعداد صفحات: ۴
از آغاز پیدایش فناوری نانو ، ادوات الکترونیکی به سمت کوچک شدن و افزایش کارایی در حال حرکت هستند. ساختار نانوروبان گرافنی زیکزاک ، یک ساختار کربنی بسیار کوچک و با خواص بسیارجالب می باشد که در این گزارش به بررسی خواص انواعساختار نانو روبان گرافنی نوع زیکزاک می پردازیم و در نهایت نقص سوپرسل که در ساخت با آن مواجه هستیم ، برای استفاده دریک نانوترانزیستور به عنوان سورس ، درین یا کانال می پردازیم. بنابراین در ابتدا به بررسی روش های تولید نانو روبان های گرافنی درعمل می پردازیم سپس نقص ایجاد شده در ساخت را که با عنوان نقص سوپرسل بیان می شود بررسی کرده و خواص رسانایی آن و گاف انرژی ایجاد شده را بررسی می کنیم . این نقص ایجاد شده در حالت زیکزاک بررسی می شود در این مقاله با محاسبه میزان رسانایی مطلوب به این نتیجه می رسیم که از این ساختار می توان به عنوان سورس یا درین یک نانوترانزیستور استفاده کرد

۶بررسی ساختار ترازهای انرژی و مقاومت کوانتومی در گرافن نانو روبان دو لایه
اطلاعات انتشار: دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق، سال
تعداد صفحات: ۶
در این جا با استفاده از مدل تنگابست در گرافین نانوروبان با لبه ی دسته صندلی و زیگزاگ در دو حالت تک لایه و دولایه با پشته 5 AB و AA به بررسی ترازهای انرژی در غیاب میدان الکتریکی پرداخته می شود سپس با استفاده از یک الگوریتم تکرار و بهره بردن از تابعگرین مقدار مقاومت کوانتومی را در دمای 300k برای هر یک از ساختار ها محاسبه خواهد شد

۷بررسی ساختار ترازهای انرژی و مقاومت کوانتومی در نقص به وجود آمده در ساخت گرافن نانو روبان
اطلاعات انتشار: دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق، سال
تعداد صفحات: ۵
در این گزارش سعی شده است نقص به وجود آمده در ساخت نانوروبان های با لبه ی دسته صندلی و زیگزاگ که با عنوان سوپر سل –عنوان شده و عرضی برابر 5 و تعداد 011 اتم دارد ،معرفی شوند .سپس تغییراتی که در خواص الکتریکی گرافن از نظیر رسانایی کوانتومی و ترازهای انرژی به وجود می آورد را بدون در نظر گرفتن میدان الکتریکی خارجی در دمای 300k و با در نظر گرفتن حالات مختلفی که نقص می تواندبه خود بگیرد محاسبه شود.

۸بررسی و بهبود تقویت کننده سه طبقه جبران سازی شده به شیوه کسکود دوگانه
اطلاعات انتشار: دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق، سال
تعداد صفحات: ۷
به علت رشد تقاضا برای وسایل الکترونیک قابل حمل ونقل که با باتری کار می کنند و توان مصرفی پایین دارند، نیاز به رگولاتور های ولتاژ با افت کمLDO)افزایش یافته است. در این حوزه از تقویت کننده های با بهره بالا و پهنای باند زیاد که بارهای خازنی بزرگ را راه اندازی می کنند، به عنوان اشکار ساز خطا و تصحیح کننده ان استفاده می شود. در این مقاله به طراحی تقویت کننده سه طبقه جبران سازی شده به شیوه کسکود دوگانه پرداخته ایم که در تکنولوژیTSMC 0.18μmبا ولتاژ تغذیه 8.1 ولت پیاده سازی شده است. تقویت کننده دارای پهنای باندبهره–واحد15.4مگا هرتز و حاشیه فاز 97 درجه با توان مصرفی 8.11 میلی وات در حالی که بار خازنی بزرگ با مقدار 828 پیکوفاراد و مقاومت .25 کیلو اهم را راه اندازی می کند، می باشد. تقویت کننده جبرانسازی شده با روش کسکود دوگانه سرعت و مشخصات سیگنال بزرگ بهتری نسبت به شیوه های جبران سازی دیگر با بار خازنی بزرگ ارائه می دهد.

۹بررسی ساختار انرژی و مقاومت کوانتومی در گرافن نانو روبان دسته صندلی با پشته AB
اطلاعات انتشار: شانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۵
در این مقاله با استفاده از مدل تنگابست در گرافین نانوروبان دسته صندلی در دو حالت تک لایه و دو لایه با پشته AB به بررسی ترازهای انرژی پرداخته می شود و در انتهاب با استفاده از یک الگوریتم تکرار مقدار مقاومت کوانتومی هر یک محاسبه خواهد شد.

۱۰بررسی و بهبود تقویت کننده سه طبقه جبران سازی شده به شیوه SMC
اطلاعات انتشار: شانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
در این مقاله تقویت کننده سه طبقه جبران سازی شده به شیوه – SMC با بار خازنی بزرگ ) 25KΩ\\120PF ( معرفی شده است. جهت بررسی و اثباتکردن برتری ساختار پیشنهادی نسبت به ساختارهای میلری همتای خود چندین شبیه سازی با استفاده از نرم افزار Hspice در مدل 0.25μm و 0.18μm صورت گرفته است. در تقویت کننده SMC هدف ما رسیدن به حاشیه فاز بالا در یک پهنای باند وسیعی بوده است ضمن اینکه از بهره DC بالایی برخوردار باشد که در نهایت توانستیم در تکنولوژی 0.25um º به حاشیه فاز 75 در پهنای باند بهره واحد – GBW=6.3MHZ برسیم . استفاده از تکنولوژی 0.18μm باعث بهبود پاسخ فرکانسی و پاسخ گذرا مدار می شود. نتایج نشان می دهد تقویت کننده دارای GBW=12.3MHZ ، حد فاز 75º ، سرعت چرخش مثبت)منفی( 3.7(5.18) V\μs ، زمان نشست مثبت)منفی( 0.287(0.15) μs و توان مصرفی 0.335mW می باشد که معیار شایستگی (FOM) عملکرد مطلوب این طراحی را نسبت به تکنولوژی 0.25μm و سایر روش های جبران سازی را نشان می دهد.

۱۱بهبود پارامترهای تقویت کننده سه طبقه جبران سازی شده به شیوه SMC
اطلاعات انتشار: شانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
این مقاله به عنوان یکی از شیوه های جبران سازی فرکانسی تقویت کننده های سه طبقه مطرح می باشد. تقویت کننده های سه طبقه از این نظر که از گین ولتاژ بالایی برخوردار هستند بسیار مطلوب هستند اما متاسفانه از نقطه نظر پایداری و پهنای باند از مقدار کمی برخوردار هستند بنابراین رسیدن به پایداری بالا در یک پهنای باند مناسب می تواند بیشترین کارایی را داشته باشد بدین منظور در اینجا به معرفی شیوه جبران سازی تک خازنی همراه با شبکهپیشرو (SMFFC) می پردازیم در ساختار پیشنهادی یک شبکه پیشرو به ساختار جبران سازی میلر (SMC) اضافه می کنیم که باعث بهبود نتایج حاصل از پاسخ فرکانسی و گذرا مدار از جمله پهنای باند، سطح اشغالی، زمان نشست وآهنگ چرخش می شود. چندین شبیه سازی انجام شده با استفاده از نرم افزار Hspice در تکنولوژی 0.25um جواب های بهبود یافته را مشخص می کند.

۱۲تعیین خودکار نوع اسکناس برمبنای الگوریتم های پردازش تصویر
اطلاعات انتشار: اولین کنفرانس بازشناسی الگو و پردازش تصویر ایران، سال
تعداد صفحات: ۴
امروزه با افزایش خدمات بانکی استفاده از روش های مبتنی برتکنولوژی فناوری اطلاعات وارتباطات به سرعت روبه گسترش می باشد. از جمله این سرویس ها استفاده از دستگاه های مکانیزه بانکی می باشد. این دستگاه هاعلاوه بر شعب می توانند در مکان های مختلفی نصب شده و به عنوان یک شعبه بانک عمل نمایند. بر این اساس سخت افزار و نرم افزار به کار گرفته شده در این سیستم ها به گونه ای طراحی شده است که قابلیت ارایه سرویس های مختلف را براساس محیط های مختلف را دارا باشند. لذا نیاز به مکانیزم هایی برای شناسایی خودکار ارزش اسکناس در قسمت نرم افزار می باشد. در این مقاله به ارائه روشیمی پردازیم که بتواند با استفاده از تصاویر بدست آمده از اسکناس ارزش آن را مشخص نماید. در روش ارائه شده ابتدا تصویر اسکناس توسط یک اسکنر بدست می آید. در ادامه ویژگی های رنگی از تصویر اسکناس استخراج می گردد. در پایانبا استفاده از شبکه عصبی با بردار ورودی شامل ویژگی های استخراج شده ارزش اسکناس تعیین می گردد. نتایج حاصل از استفاده از روش پیشنهادی بر روی دویست تصویر اسکناس رایج ایرانی دقت تشخیص 98 درصد را نشان می دهد.

۱۳طراحی نرم افزارتشخیص خودکاراسکناس های ایرانی برمبنای الگوریتم های پردازش تصویر
اطلاعات انتشار: اولین کنفرانس بازشناسی الگو و پردازش تصویر ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
امروزه با افزایش خدمات بانکی استفاده ازروشهای مبتنی برتکنولوژی فناوری اطلاعات و ارتباطات به سرعت روبه گسترش می باشد ازجمله این سرویسها استفاده ازدستگاه های مکانیزه بانکی می باشد این دستگاه ها علاوه برشعب می تواننددرمکانهای مختلفی نصب شده و به عنوان یک شعبه بانک عمل نمایند براین اساس سخت افزایش و نرم افزار به کارگرفته شده دراین سیستم ها به گونه ای طراحی شده است که قابلیت ارایه سرویسهای مختلف را براساس محیطهای مختلف را داراباشند لذا نیازم به مکانیزم هایی برای شناسایی خودکار ارزش اسکنانس درقسمت نرم افزار می باشد دراین مقاله به ارایه روشی می پردازیم که بتواند با استفاده ازتصاویر بدست امده ازاسکناس ارزش آن را مشخص نماید درروش ارایه شده ابتدا تصویراسکناس توسط یک اسکنر بدست می اید درادامه ویژگیهای رنگی ازتصویراسکناس استخراج میگردد درپایان با استفاده ازشبکه عصبی بابردارورودی شامل ویژگیهای استخراج شده ارزش اسکناس تعیین می گردد نتایج حاصل ازاستفاده ازروش پیشنهادی برروی بیش ازصدتصویراسکناس رایج ایرانی دقت تشخیص 98هدرصد را نشان میدهد

۱۴بررسی اثر دوپینگ و کاشت یونNa بر سلولهای خورشیدیCIGS
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۵
یکی از مشکلات عمده امروز، محدودیت در دسترسی به سوختهای فسیلی از یک طرف و عواقب ناشی از مصرف آنها و به خطر افتادن کیفیت زندگی و سلامت انسانها، از طرف دیگر است. به همین دلیل استفاده از منابع انرژیهای دیگر، ضروری بنظر می رسد. انرژی های تجدیدپذیر، بهعنوان منابع انرژی دائمی و پاک، یک پاسخ به این مشکل است. یکی از این انرژیها، انرژی خورشیدی فتوولتائیک است که بطور گسترده ای دردسترس ما است و به عنوان منبع انرژی قابل اعتماد محسوب می شود.[ 1] تحقیق و توسعه در مورد انرژی فتوولتائی، عموماً در دو زمینه کاهش هزینه ها و افزایش بازده صورت می گیرد. سلولهای خورشیدیCIGS در بین دیگر انواع سلولهای خورشیدی، بازده بالاتری دارند. کاشت یون ودوپینگ روشی منحصر بفرد برای ساختار یک سلول خورشیدی را ارائه می دهددر این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختارCu In1–x Gax Se 2 پرداخته شده است.همچنین اثر دوپینگNaوتغییر مقدارx در افزایش بازده مورد بررسی قرار گرفته است

۱۵بررسی تغییر ضخامت لایهی جذب در عملکرد سلولهای خورشیدیCIGS
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۵
استفاده از سلول خورشیدی فیلم نازک، در طول نیم قرن اخیر بشدت گسترش یافته است. این تکنولوژی، بر اساس لایه نشانی روی بسترهای شیشهای، فلزی یا پلیمری در ضخامتهای بسیار کم ) 3 تا 5 میکرومتر ( میباشد. تحقیق و توسعه در مورد انرژی، عموماً در دو زمینه کاهش هزینه ها و افزایش بازده صورت میگیرد. سلولهای خورشیدیCIGS در بین دیگر انواع سلولهای خورشیدی، بازده بالاتری دارند. این مقاله تحقیقاتی در مورد سلولهای خورشیدیCIGSرا نشان میدهد. مقدار بهینه ضخامت، در این ساختار محاسبه شده و نشان داده شده که بابهینهسازی ضخامت سلول، توان افزایش یافته و هزینههای تولید کاهش مییابد. بهینهسازی عددی توسط تنظیم پارامترهایی مانند شکاف انرژی و ساختار خاصی از سلول انجام میشود. با بهینهسازی ساختار در نظر گرفته شده، ولتاژ مدار باز و بازده بهبود یافته است در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختارCu In –xGax Se2 پرداخته شده است. همچنین تغییر مقدار ضخامت در افزایش بازده مورد بررسی قرار گرفته است

۱۶طراحی کنترلر هوشمند فازی سری با روش خطی ساز فیدبک دار و کاربرد آندر موتور سه بعدی
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۷
کنترلر فازی یک کنترلر غیرخطی مهم در سیستم هایی با پارامترهای دینامیکی با عدم قطعیت است. این کنترلر برای کنترل با سیستم دینامیکی غیرخطی استفاده می شود مخصوصاً برای موتور سه بعدی، زیرا عملکرد بسیار مناسبی دارد. با توجه به اینکه کنترلر فازی خالص یک کنترلر هوشمند با کیفیت بالا است ولی دو مشکل مهم دارد،اطمینان پذیری و مقام بودن در پارامتر دینامیکی با عدم قطعیت، برای افزایش اعتماد و مقاوم بودن، این تحقیق بر روی روش خطی سازی فیدبک دار در کنترلر با منطقفازی خالص تمرکز می کند. در این تحقیق مشکلات دینامیکی غیرخطی در شرایط با عدم قطعیت بوسیله ترکیب کنترل فازی با روش خطی سازی فیدبک دار حل میشود. در این روش تئوری خطی سازی فیدبک دار برای افزایش پایداری و اطمینان پذیری و مقاوم بودن به کنترلر با منطق فازی خالص اضافه شده است. که براساسفرمول های دینامیکی غیرخطی است. برای رسیدن به این هدف روش خطی سازی فیدبک دار با فرمول پایه دینامیک طراحی شده است. این روش مقاوم است و یک کنترلر غیرخطی مدل – پایه است. بنابراین می تواند ویژگی غیرخطی سیستم را کاهش دهد و اثرات بهم چسبیدگی سیستم را کاهش دهد. در این تحقیق سیستم استنتاج فازی ممدانی به عنوان کنترلر اصلی استفاده شده است. و برای کاربرد علمی دارای کمترین قوانین – پایه است. تعدادی از اطلاعات مدل دینامیکی سیستم و کنترل خطی سازی فیدبک دار برای بدست آوردن عملکرد بهتر از سیستم استفاده شده است.

۱۷کلیدزنی نوری کریستالهای فوتونیک با بکارگیری موجبر مزدوج جدید و انشعابهای غیرساختاریY
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۷
در این مقاله یک اختلال سنج کریستال فوتونیک مک–زنرMZIبر پایه یک موجبر کاواک مزدوج جدید ارائه شده، و مزیت آن نسبت به موج برهای کاواک مزدوج قدیمی مورد بحث قرار میگیرد. انشعاب غیرساختاریYاز شبکه های چهار و شش ضلعی از موجبرهای کاواک مزدوج تشکیل شده است. این انشعاب ها با اعمال تئوری مزدوج موقتی طراحی شده و در طول موج1.5mmبه بهره عملکردی بیش از 61 % رسیده، بهینه میشوند. طراحی انشعابYبا روش حوزه زمان گسسته محدود انجام میشود. انشعابYغیرساختاری طراحی شده در ساختارMZIودرجایی که بازوهای آن تقریباmm26 هستند، استفاده میشود. در پایان مقاله نیز پاسخ گذرای سوئیچ نوری مورد بررسی قرار خواهد گرفت

۱۸تحلیل ، طراحی وشبیه سازی فیلتر مایکرواستریپ مینیاتور 1.2 گیگاهرتز با تلفات کم با کوپلینگ مستقل الکتریکی و مغناطیسی
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۶
یک فیلتر مینیاتور مایکرواستریپ 2.1 گیگا هرتز مسطح ،دو قطب ،با کوپلینگ مستقل الکتریکی و مغناطیسی معرفی می شود. که با کوپلینگ مستقل به طور جداگانه دوصفر انتقال را کنترل می کند. فیلتر دو قطبی بر روی یک سابستریت با گذردهی10.2به مساحت 6\4×6\6میلیمتر مربع 30میلیمتر مربع قرارگرفته و یک پهنای باند5درصد100مگاهرتز و یک بهره 1.4دسی بل را نشان میدهد ضریب کیفیت فیلتردرفرکانس 2.1 گیگا هرتز برابر 151 است که بسیار بهتر از فیلترهای سازگار در تکنولوژی LTCCانجام شده است. این مقاله یک فیلتر مینیاتوری که با یک هزینه کم بر روی سابستریت چاپ می شود ارائه میدهد.این ساختار بر اساس دو خازن بارگزاری و ریزاناتور اتصال کوتاه شده است. این بخش کوپلینگ مستقل الکتریکی و مغناطیسی را قادر می سازد که دو صفر انتقال را کنترل کند. این ساختار کوپلینگ جدید یک ازادی به انتخاب ادمیتانس ریزاناتور میدهد ، و به همین دلیل عرض مایکرواستریپ تشدید کننده می تواند برای عملکرد کم تلفات بهینه ساز ی شود.

۱۹حذف تاثیر موقعیت منبع ثانویه بر توان ورودی مرجع یک سیستم کنترل فعال نویز
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۵
پایداری کنترلرهای تطبیقی در کنترل فعال نویزANC امری بسیار مهم می باشد. مطالعات بسیاری در زمینه ی پایداری کنترلرهای تطبیقی صورت گرفته است، اما هیچکدام از آنها مثال های شبیه سازی شده با جزئیات در زمینه ی پایداری کنترلر مطابق با موقعیت مسیر ثانویه برای ساختار شامل فیدبک ارائه نکرده اند. این مقاله بر آنالیز پایداری و همگرایی الگوریتمFiltered–XLMS (FXLMS)با در نظر گرفتن فواصل جداگانه بین منبع ثانویه و مشاهده کننده مدل سازی شده توسط توابع تبدیل مسیر آکوستیک، متمرکز شده است. رابطه ی بین توان سیگنال مرجع و موقعیت منبع ثانویه بدست آورده شده است و در نهایت محدودیت ساختارANC ارائه گردیده است.

۲۰ردیابی ماکزیمم توان خروجی سلول های خورشیدی با استفاده از کنترل کننده فازی
اطلاعات انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۵
رفتار ولتاژ– جریان سلول های خورشیدی با توجه به اوضاع و شرایط محیطی – تغییر دما و تابش نور– غیر خطی و متغیر با زمان است.بنابراین توان خروجی آنها نیز متغیر است و با فرض ثابت بودن بار متصل به سلول ، در هردما و یا تابشی ، یک توان ماکزیمم در خروجیسلول وجود خواهد داشت. برای بهره برداری بهینه از این سلول ها و مقرون به صرفه بودن آنها ، نیازاست درهرلحظه این ماکزیمم توان ردیابیشود. این ردیابی با روش های مختلف و متفاوتی صورت می گیرد که بسته به هدف طراحی ، سرعت پاسخ ، هزینه تمام شده و سادگی سیستم کنترل می تواند به کار رود. . تاکنون روش های بسیاری جهت ردیابی نقطه ماکزیمم توان معرفی شده اند ولی هرکدام از این روش ها به لحاظ سرعت و دقت ردیابی به نوعی دارای نقص می باشند و در عمل نتوانسته اند هر دو عامل فوق را در کنار یکدیگر بهبود بخشند. دراین میانروش های فازی از سرعت ودقت ردیابی بالایی برخوردارند. این مقاله با بهره گیری از مدل الکتریکی سلولهای فتوولتائیک در نیروگاه خورشیدی، در ابتدا به معرفی و شبیه سازی روش فازی تاکاگی– سوگنو می پردازد، سپس یک روش برای آموزش مدل فازی تاکاگی– سوگنو ارائه شده، )با دو ورودی تابش ودما(که ولتاژ نقطه کار بهینه را برای ردیابی نقطه ماکزیمم توان در این نیروگاه خورشیدی شناسایی می کند. نتایج شبیه سازی کارآمدی روش پیشنهادی را تایید می کند

۲۱تغییر ضخامت لایهها و افزایش راندمان سلولهای خورشیدیCIGS
اطلاعات انتشار: اولین کنگره سراسری فناوریهای نوین ایران با هدف دستیابی به توسعه پایدار، سال
تعداد صفحات: ۷
استفاده از سلول خورشیدی فیلم نازک، در طول نیم قرن اخیر بشدت گسترش یافته است. این تکنولوژی، بر اساس لایه نشانی روی بسترهای شیشهای، در ضخامتهای بسیار کم میباشد. تحقیق و توسعه در مورد انرژی، عموماً در دو زمینهکاهش هزینه ها و افزایش بازده صورت میگیرد. در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختار 2Se xGax–1Cu In پرداخته شده است. تغییر مقدار ضخامت در افزایش بازده مورد بررسی قرار گرفته است. مقدار بهینه ضخامت، در این ساختار محاسبه شده و نشان داده شده که با بهینهسازی ضخامت سلول، توان افزایش و هزینههای تولید کاهش مییابد

۲۲نقش سلول های خورشیدی در عدم استفاده از سوخت های مخرب محیط زیست
اطلاعات انتشار: دومین کنگره سراسری فناوریهای نوین ایران با هدف دستیابی به توسعه پایدار، سال
تعداد صفحات: ۸
رشد مصرف جهانی انرژی در قرن اخیر و همراه با آن، افزایش انتشار گازهای گلخانه ای، با آلودگی بیش از پیش محیط زیست و خسارات جبران ناپذیر برای منابع حیاتی همراه بوده است. بمنظور کاهش اتکا جهانی به منابع طبیعی پایانپذیر و سوخت های مخرب محیط زیست، تلاش های فراوانی برای کاهش هزینه های تولید انرژی از منابع تجدیدپذیر صورت گرفته است. از جمله، تلاش برای تولید انرژی الکتریکی با استفاده از نور خورشید، میباشد. در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی CIGS پرداخته شده است. همچنین اثر تابش نور خورشید و طراحی یک سلول خورشیدی مناسب توسط نرم افزار SILVACO مورد بررسی قرار گرفته است.

۲۳سلولهای خورشیدی CIGS و نقش آن در مسائل زیست محیطی
اطلاعات انتشار: اولین کنگره سالیانه جهان و بحران انرژی، سال
تعداد صفحات: ۵
یکی از مشکلات عمدهی انسان امروزی، محدودیت در دسترسی به سوختهای فسیلی و عواقب ناشی از مصرف آنها، همچنین به خطر افتادن کیفیت زندگی و سلامت موجودات میباشد. بنابراین، استفادهاز منابع انرژی دیگر، از جمله انرژیهای تجدیدپذیری مانند انرژیخورشیدی فتوولتائیک، به عنوان منابع انرژی دائمی و پاک، یک پاسخ به این مشکل است. تحقیقات در این زمینه، بیشتر روی افزایش بازده و کاهش هزینه انجام میشود. سلولهای خورشیدیCIGS یکی از این ابزارهاست. در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی از نوعcu In1–x Gax Se2 پرداخته شده استهمچنین، نحوه تابش نور خورشید و طراحی یک سلول خورشیدی با بازده مناسب توسط نرمافزار سیلواکو 1 مورد بررسی قرار گرفته است

۲۴طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP\GaAs\Si با استفاده از Si111 و GaAs111
اطلاعات انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی، سال
تعداد صفحات: ۱۱
با توجه به اینکه مصرف انرژی در جهان رو به افزایش است و منابع سوختهای فسیلی در حال تمام هستند از این رو علاقه به استفاده از منابع تجد یدپذیر از جمله انرژی خورشیدی رو به افزایش است. سلولهای خورشیدی چند پیوندی به دلیل اینکه طیف بیشتری از نور خورشیدی را جذب می کنند نسبت به سلولهای خورشیدی دیگر دارای بازده بیشتری هستند. از سو یدیگر سلولهای خورشیدی سیلیکونی نیز برای مصارف زمینی به دلیل کم هزینه بودن و در دسترس بودن از علاقه زیادی برخوردار هستند. در این مقاله سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP\GaAs\Si با استفاده از نرم افزار سیلواکو طراحی و شبیه سازی شده است یکی ازمشکلات طراحی این سلول خورشیدی وجود 4% عدم تطابق شبکه بین گالیم آرسناید و سیلیکون می باشد که به چگونگی شبیه سازی و حل این مشکل در نرم افزار سیلواکو پرداخته شده است در نهایت پس از تغییر ضخامت لایه ها و تغییر مواد به کار رفته در این سلول خورشیدی ولتاژ مدار باز ایده آل 3\05 ولت و جریان اتصال کوتاه ایده آل 14\41 میلی آمپر بر سانتی متر مربع و بیشترین بازده 38\55% به دست آمده است.

۲۵بهبود عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازکCIGS با تغییر لایه ZnO
اطلاعات انتشار: کنفرانس سراسری دانش و فناوری مهندسی مکانیک و برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۶
در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختارCu In1–xGax Se2 می پردازیم ،سلول خورشیدی CIGS شامل لایه های ZnO لایه TCOو Cd_S لایه بافر CIGS لایه جاذب و لایه MO زیر لایه می باشد که لایه Cd_S و CIGSتشکیل یک پیوند PN می دهند. سپس با استفاده از نرم افزار سلول خورشیدی CIGS را شبیه سازی نموده و با تغییر ضخامت لایهZnO اثر آن بر روی عملکرد سلول را مورد بحث و بررسی قرار داده خواهد شد.پارامترهای مهم یک سلول خورشیدی که در اینجا بررسی خواهد شد شامل ولتاژ مدار باز VOC جریان اتصال کوتاه ISC ماکزیمم توان Pmax عامل پر کنندهFF راندمان Efficiency می باشد. بعد از شبیه سازی های انجام شده و با تغییر ات انجام شده بر لایه ZnO به این نتیجه رسیدیم که ضخامت لایهZnO بر عملکرد سلول تاثیر محسوسی دارد و باعث تغییر راندمان ، ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه و توان سلول می شود.
نمایش نتایج ۱ تا ۲۵ از میان ۳۰ نتیجه