توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱New Design 1–Bit Full Adder Using GDI and MOSCAP
نویسنده(ها): ، ،
اطلاعات انتشار: اولین کنفرانس ملی مهندسی برق اصفهان، سال
تعداد صفحات: ۵
In this paper, we present a new 1–bit full adder cell design with two separate parts, one of them is GDI block andother is majority block that lead to have a reduced power–delay product (PDP). All of the capacitors in this paper replaced with MOSCAP. the new adder cell is simulated at tsmc 0.18 um coms technology. using HSPICE and compared against other energy–efficient full–adders reported recently<\div>
نمایش نتایج ۱ تا ۱ از میان ۱ نتیجه