توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱Effective Channel Length Extraction of MOS Transistors with Halo\Pocket Implants
نویسنده(ها): ، ،
اطلاعات انتشار: دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران، سال
تعداد صفحات: ۵
The shift–and–Ratio method has been considered as one of the most accurate and consistent techniques for extracting the effective channel–length of the MOS transistors. The use of original shift–andratio method for Leff extraction of MOS transistors with halo\pocket implants results in systematic errors for Leff. In this paper a modification of the original method has been proposed and tested by simulation. The values of Leff generated by this method are more reasonable than the original shift–and–ratio method.<\div>
نمایش نتایج ۱ تا ۱ از میان ۱ نتیجه