توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱Study of a nano–Scale Length Tri–Gate FinFET Based on 3–D Simulations
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر، سال
تعداد صفحات: ۶
In this paper, channel length changings are studied for Trigate SOI FinFET based on a 3–D simulation. Changing channel length is between 10 to 100 nm. output characteristics, threshold voltage, subthreshold slope and drain induced barrier lowering (DIBL), gm, ro are investigated.<\div>

۲SCEs Investigation of Tri–Gate SOI FinFET in Different Channel Lengthes
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی، سال
تعداد صفحات: ۷
compact scaling length for Tri–gate SOI FinFET is presented based on a 3–D simulation. SCEs of FinFETs can be controlled by changing the gate length.Changing channel length is between 10 to 100 nm. output characteristics, transfer characteristic, threshold voltage, subthreshold slope and drain induced barrier lowering (DIBL), gm, ION\IOFF ratio, ro are investigated<\div>

۳Comparative Study of Trigate SOI FinFET and Trigate JL SOI FinFET Structures
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: دومین کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی، سال
تعداد صفحات: ۷
This paper investigates the effect of channel length variations on transistor perfomane for the Trigate SOI FinFET and Trigate Junctionless SOI FinFET. compaires the variations in threshold voltage, transeconductance , subthreshold swing, ION\IOFF ratio and ro.<\div>
نمایش نتایج ۱ تا ۳ از میان ۳ نتیجه