توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱Performance Investigation of Junctionless FinFET
نویسنده(ها): ،
اطلاعات انتشار: هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال
تعداد صفحات: ۴
In this paper, we study the effect of channel length of the junctionless transistor on the device performance through device simulation. The transistor parameters such as threshold voltage, transconductance, subthreshold slope are investigated<\div>
نمایش نتایج ۱ تا ۱ از میان ۱ نتیجه