توجه: محتویات این صفحه به صورت خودکار پردازش شده و مقاله‌های نویسندگانی با تشابه اسمی، همگی در بخش یکسان نمایش داده می‌شوند.
۱Epitaxial Si–Ge Heterostructures and Nanostructures for Optical and Electrical Applications
نویسنده(ها): ، ، ،
اطلاعات انتشار: دومین کنفرانس نانوساختارها، سال
تعداد صفحات: ۴
We present SiGe\Si heterostructures and nanostructures grown by plasma–enhanced chemical vapour deposition (LEPECVD) and processed by optical lithography, electron beam lithography as well as wet chemical and reactive ion etching. Structures based on strained–Ge quantum wells exhibit excellent electrical and optical properties, like hole mobilities up to 120,000 cm2\Vs and sharp excitonic features in the absorption spectra. New device functions are obtained on modulation doped structures patterned by nanolithography<\div>
نمایش نتایج ۱ تا ۱ از میان ۱ نتیجه